Photoveel II及Photoveel II-S
可加工氮化物陶瓷

Photoveel II及Photoveel II-S是促成新一代探針卡的材料。Photoveel II及Photoveel II-S上可鑽打小至直徑40微米、間距60微米的孔洞。

Photoveel II系列材料的特色為細晶粒結構，配上絕佳的機械性質，達到精密的特點、高孔密度，以及小至30微米的孔洞直徑。最棒的是， Photoveel II具有多種熱膨脹係數範圍可供選用。

應用

特性

			Photoveel II	Photoveel II-S	Photoveel II-K70
一般特性	特徵		高強度		高強度 高導熱性
	主要成分純度 (wt%)		-	-	-
	顏色		淺灰色	淺灰色/黑色	淺灰色
	密度 (g/cm3)		2.56	3.5	2.7
	吸水性 (%)		0	0	0
機械特性	抗彎強度 (MPa)		440	320	520
	楊氏模量 (GPa)		157	130	200
	維氏硬度 (GPa)		2.3	2.3	4
熱特性	最高作業溫度 (°C)		1000 （在非氧化性環境下）	1000 （在非氧化性環境下）	1000 （在非氧化性環境下）
	熱膨脹係數 (1/°C×10-6)		1.4 (RT~400°C)	4.7 (RT~150°C)	1.0 (RT~150°C)
	導熱係數 (W/m×K)		50	23	70
	熱震抵抗 ΔT (°C)		600	400	-
電特性	體積電阻率	25°C	1015	1015	1015
		300°C	-	-	-
		500°C	-	-	-
		800°C	-	-	-
	介電常數	10GHz	5.5	9	5.9
	介電耗損 (×10-4)		10	25/16	11
	Q Factor (×104)		0.1	0.04/0.06	0.09
	介電擊穿電壓 (KV/mm)		35	30/>20	18