Photoveel II及Photoveel II-S
可加工氮化物陶瓷

Photoveel II及Photoveel II-S是促成新一代探針卡的材料。Photoveel II及Photoveel II-S上可鑽打小至直徑40微米、間距60微米的孔洞。

Photoveel II系列材料的特色為細晶粒結構,配上絕佳的機械性質,達到精密的特點、高孔密度,以及小至30微米的孔洞直徑。最棒的是, Photoveel II具有多種熱膨脹係數範圍可供選用。

應用

  • 各種檢驗零件
  • 含微結構之絕緣零件
  • 透鏡座(低反射率)
Photoveel II Products Photo
Ceramics Lens Products Photo

Photoveel II Products Photo

Ceramic Hole Photo

特性

      Photoveel II Photoveel II-S Photoveel II-K70
一般特性 特徵 高強度 高強度
高導熱性
主要成分純度 (wt%) - - -
顏色 淺灰色 淺灰色/黑色 淺灰色
密度 (g/cm3) 2.56 3.5 2.7
吸水性 (%) 0 0 0
機械特性 抗彎強度 (MPa) 440 320 520
楊氏模量 (GPa) 157 130 200
維氏硬度 (GPa) 2.3 2.3 4
熱特性 最高作業溫度 (°C) 1000
(在非氧化性環境下)
1000
(在非氧化性環境下)
1000
(在非氧化性環境下)
熱膨脹係數 (1/°C×10-6) 1.4 (RT~400°C) 4.7 (RT~150°C) 1.0 (RT~150°C)
導熱係數 (W/m×K) 50 23 70
熱震抵抗 ΔT (°C) 600 400 -
電特性 體積電阻率 25°C 1015 1015 1015
300°C - - -
500°C - - -
800°C - - -
介電常數 10GHz 5.5 9 5.9
介電耗損 (×10-4) 10 25/16 11
Q Factor (×104) 0.1 0.04/0.06 0.09
介電擊穿電壓 (KV/mm) 35 30/>20 18