Photoveel II及Photoveel II-S
可加工氮化物陶瓷
Photoveel II及Photoveel II-S是促成新一代探針卡的材料。Photoveel II及Photoveel II-S上可鑽打小至直徑40微米、間距60微米的孔洞。
Photoveel II系列材料的特色為細晶粒結構,配上絕佳的機械性質,達到精密的特點、高孔密度,以及小至30微米的孔洞直徑。最棒的是, Photoveel II具有多種熱膨脹係數範圍可供選用。
應用
- 各種檢驗零件
- 含微結構之絕緣零件
- 透鏡座(低反射率)



特性
Photoveel II | Photoveel II-S | Photoveel II-K70 | |||
一般特性 | 特徵 | 高強度 | 高強度 高導熱性 |
||
主要成分純度 (wt%) | - | - | - | ||
顏色 | 淺灰色 | 淺灰色/黑色 | 淺灰色 | ||
密度 (g/cm3) | 2.56 | 3.5 | 2.7 | ||
吸水性 (%) | 0 | 0 | 0 | ||
機械特性 | 抗彎強度 (MPa) | 440 | 320 | 520 | |
楊氏模量 (GPa) | 157 | 130 | 200 | ||
維氏硬度 (GPa) | 2.3 | 2.3 | 4 | ||
熱特性 | 最高作業溫度 (°C) | 1000 (在非氧化性環境下) |
1000 (在非氧化性環境下) |
1000 (在非氧化性環境下) |
|
熱膨脹係數 (1/°C×10-6) | 1.4 (RT~400°C) | 4.7 (RT~150°C) | 1.0 (RT~150°C) | ||
導熱係數 (W/m×K) | 50 | 23 | 70 | ||
熱震抵抗 ΔT (°C) | 600 | 400 | - | ||
電特性 | 體積電阻率 | 25°C | 1015 | 1015 | 1015 |
300°C | - | - | - | ||
500°C | - | - | - | ||
800°C | - | - | - | ||
介電常數 | 10GHz | 5.5 | 9 | 5.9 | |
介電耗損 (×10-4) | 10 | 25/16 | 11 | ||
Q Factor (×104) | 0.1 | 0.04/0.06 | 0.09 | ||
介電擊穿電壓 (KV/mm) | 35 | 30/>20 | 18 |